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产品信息
MIC6A10整流二*管长期供货, :
普通整流二*管参数(二) 型号 *高反向峰值电压(v)
平均整流电流(a) *大峰值浪涌电流(a *大反向漏电流(Ua) 正向压降(V)
6a10 1 0.95 R--6
MIC6A10二*管一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳*和阴*两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成*的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二*管*的单向导电性,其伏安特性和电路*号如图2所示。整流二*管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二*管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二*管*高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二*管主要用于各种低频整流电路。