汕头泽森微电子经营部

供应2SC1815-Y   代理TOSHIBA 2SC1815-Y

长期供货             :三*管基础知识及检测方法三*管基础知识及检测方法三*管基础知识及检测方法三*管基础知识及检测方法    一一一一、、、、晶体管基础晶体管基础晶体管基础晶体管基础     双*结型三*管相当于两个背靠背的二*管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射*注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电*电流 IC 。在共发射*晶体管电路中 , 发射结在基*电路中正向偏置 , 其电压降很小。*大部分 的集电*和发射*之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小，所以基*电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。    如果晶体管的共发射*电流放大系数β = IC/ IB =100, 集电*电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电*负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电*和发射*之间的压降为VCE=5V，如果在基*偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电*电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双*晶体管的电流放大作用